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詳細介紹
| 品牌 | 其他品牌 | 產地類別 | 進口 |
|---|---|---|---|
| 應用領域 | 綜合 |
產品咨詢 龔經理 I8721868497 VX同號
美國 Universitywafer 超薄硅片 晶圓
美國 Universitywafer 超薄硅片 1 微米 TTV，低粗糙度
我們提供大量超平雙面拋光優質和測試級硅晶片，涵蓋各種直徑、厚度、方向和電阻率。我們的總厚度變化庫存中只有 1 微米的 TTV。
為了增加硅晶片的平整度，就是要對晶片的背面進行拋光。雙面拋光有助于降低硅晶片表面的粗糙度。在制造需要超平面和低粗糙度規格的 MEMS 器件時，這是必須的。
標準硅片對于許多應用來說太厚太笨重，這可能會導致尺寸、重量和性能方面的問題。
解決方案：我們的超薄硅片非常適合傳統硅片無法滿足的廣泛應用。我們的薄硅片厚度從 5 微米到 100 微米不等，直徑從 5 毫米到 6 英寸，是真正的鏡面 DSP，表面平整度好，無霧，無空隙，具有低表面粗糙度 （RMS）（典型 1-2nm）和超平 TTV（通常小于 +/-1μm）。
100um+/-10um 6“ 薄硅，SSP，最少訂購 5 個晶圓。
100um+/-5um 6“ 薄硅，DSP，最少訂購 5 個晶圓。
100um+/-1um 6“ 薄硅，DSP，最少訂購 10 個晶圓。
25um+/-1um 6“ 薄硅，DSP，最少訂購 5 個晶圓。
微機電系統
CMOS
記憶
圖像傳感器
Light Emitting Diode-發光二極管
中介層
射頻 （RF） 設備
MEMS 器件用于各種行業，但它們的制造既精細又耗時。
制造 MEMS 器件的最常見方法是使用硅晶片作為襯底。然而，這些晶片非常薄，很容易損壞。
我們的硅晶片比人的頭發還細，可用于制造 MEMS 器件，而不會損壞基板。這將節省您的時間和金錢，同時確保您的設備采優質的材料制成。
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